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2 | Tystar11 - 11SDLTON | |||||||||||||
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4 | Process Specification | Process Performance | ||||||||||||
5 | Tool Name: | Tystar11 | ||||||||||||
6 | Description: | This monitor tracks oxide thickness and uniformity. | ||||||||||||
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8 | Recipe: | 11SDLTON | ||||||||||||
9 | Layer Material: | Doped silcon oxide | ||||||||||||
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11 | Targeted Results: | |||||||||||||
12 | Target | Description | ||||||||||||
13 | Thickness [A]: | 4000-4500 | Measured using nanoduv | |||||||||||
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15 | Uniformity [%]: | >90% | Calculated using (MAX-MIN) / (MAX+MIN) method on thickness data. | |||||||||||
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18 | Process Conditions: | |||||||||||||
19 | Deposition: | |||||||||||||
20 | O2 [sccms]: | 135 | ||||||||||||
21 | PH3 [sccms]: | 25 | ||||||||||||
22 | SiH4 [sccms]: | 90 | ||||||||||||
23 | Temperature [degrees C]: | 450 | ||||||||||||
24 | Time [HH:MM:SS]: | 00:30:00 | ||||||||||||
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26 | QM Process Procedure: | |||||||||||||
27 | Step | Tool | Description | |||||||||||
28 | Stock Wafer | New Wafer | 6-inch P-Type Test Wafer | |||||||||||
29 | Oxide Growth | Tystar11 | 30 minute oxide growth | |||||||||||
30 | Anneal | tystar2 | 30 minute anneal at 950 degrees | |||||||||||
31 | Film Thickness / RI | nanoduv | 5-point film thickness/RI | |||||||||||
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