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2 | Tystar12 - 12SULTON | ||||||||||
3 | Process Specification | Process Performance | |||||||||
4 | Tool Name: | Tystar12 | |||||||||
5 | Description: | This monitor tracks undoped oxide thickness and uniformity. | |||||||||
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7 | Recipe: | 12SULTON // 3N2ANNLA | |||||||||
8 | Layer Material: | Undoped oxide | |||||||||
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11 | Targeted Results: | ||||||||||
12 | Target | Description | |||||||||
13 | Thickness [A]: | 3500-3600 | Measured using ellips | ||||||||
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15 | Non-Uniformity [%]: | <5 | Calculated using (MAX-MIN) / (MAX+MIN) method on thickness data. | ||||||||
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18 | Process Conditions: | ||||||||||
19 | Deposition: | ||||||||||
20 | O2 [sccms]: | 135 | |||||||||
21 | SiH4 [sccms]: | 90 | |||||||||
22 | Temperature [degrees C]: | 450 | |||||||||
23 | Time [HH:MM:SS]: | 00:30:00 | |||||||||
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25 | QM Process Procedure: | ||||||||||
26 | Step | Tool | Description | ||||||||
27 | Stock Wafer | New Wafer | 6-inch P-Type Test Wafer | ||||||||
28 | Oxide Growth | Tystar12 | 30 minute oxide growth | ||||||||
29 | Anneal | Tystar3 | 30 minute anneal at 950C | ||||||||
30 | Film Thickness / RI | ellips2 | 5-point film thickness/RI | ||||||||
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