3201
 Share
The version of the browser you are using is no longer supported. Please upgrade to a supported browser.Dismiss

View only
 
ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZAAABACAFAGAHAIAJAKALAMANAOAPAQARASATAUAVAWAXAY
1
Компьютерные технологии и моделирование в электронике3201Ястребов А.В.
2
MathCADСумма по темамЛекцииДоп баллыИнтернет сем.к/р 1.1л/р 1.1к/р 1.2л/р 1.2л/р 1.3Тема 1ОценкаFlexPDEл/р 2.1к/р 2.1л/р 2.2к/р 2.2л/р 2.3Доп баллыИнтернет сем.ЛекцииТема 2Оценкаsynopsysк/р 3.1л/р 3.1л/р 3.2л/р 3.3ЛекцииДокладыТема 3ОценкаLabViewк/р 4.1л/р 4.1к/р 4.2л/р 4.2л/р 4.3Интернет сем.ЛекцииДокладыТема 4ОценкаИтоговая оценкаКурсовая работа: оценкаКурсовая работа, тема
3
1Антонов И.И.21051551515554Антонов И.И.125125125514Антонов И.И.51513155535Антонов И.И.51210101047344FlexPDE
14.Построить распределение: концентрации свободных носителей заряда, напряженности электрического поля и потенциала, для полупроводниковой структуры, показанной на рисунке 6. Напряжение на затворах должно обеспечивать обеднение равное 15 длин Дебая при нулевом напряжении на истоке и стоке. Напряжение между истоком и стоком должно обеспечивать обеднение порядка 0.5 ширины канала. Характерные размеры элементов структуры порядка 1мкм. Конкретные размеры взять у преподавателя. (Детализация размеров позволяет сформулировать несколько курсовых работа)
4
2Блохин Д.О.19951551515554Блохин Д.О.15513515534Блохин Д.О.51513334Блохин Д.О.51310131354444Моделирование в среде SYNOPSYS.
1. Определить зависимость ВАХ от толщины буферного слоя. Использовать гидродинамическую модель. Построить распределение: концентрации свободных носителей заряда, напряженности электрического поля, потенциала, плотности тока, скорости, температуры и ВАХ для полупроводниковой структуры, показанной на рисунке к теме 3. Характерные размеры элементов структуры порядка 1мкм. Конкретные размеры взять у преподавателя. (Детализация размеров позволяет сформулировать несколько курсовых работа. Размеры могут быть близки к размерам данным в лабораторных работах)
5
3Болдырев А.В.19251551515554Болдырев А.В.13412513473Болдырев А.В.5151313465Болдырев А.В.124111340344LabView.
2. Разработать программный код в среде LabVIew реализующий изменение: яркости, контрастности и четкости растровой графики.
6
4Вишняков А.А.20751551515554Вишняков А.А.15415515544Вишняков А.А.4151515495Вишняков А.А.512813745344Моделирование в среде SYNOPSYS.
5. Определить зависимость ВАХ от концентрации свободных носителей заряда в буферном слое. Использовать диффузионно-дрейфовую модель. Построить распределение: концентрации свободных носителей заряда, напряженности электрического поля, потенциала, плотности тока, скорости, температуры и ВАХ для полупроводниковой структуры, показанной на рисунке к теме 3. Характерные размеры элементов структуры порядка 1мкм. Конкретные размеры взять у преподавателя. (Детализация размеров позволяет сформулировать несколько курсовых работа. Размеры могут быть близки к размерам данным в лабораторных работах)
7
5Дарсалия Л.Д.16851551515554Дарсалия Л.Д.10510510403Дарсалия Л.Д.5101010354Дарсалия Л.Д.510101035233MathCAD
3. Определить положение эффективной границы - "Обедненная область - канал ПТШ", как функцию потенциала затвора (Построить зависимость положения эффективной границы от потенциала затвора и сравнить эту зависимость с стандартной квадратичной зависимостью. Сравнить означает - построить график разности этих зависимостей).
8
6Исайкина А.Н.19151551515554Исайкина А.Н.11413514473Исайкина А.Н.5131015435Исайкина А.Н.0710121342344Моделирование в среде SYNOPSYS.
7. Подобрать потенциалы на 6-ти затворном ПТШ, обеспечивающие непрерывную область обеднения в приповерхностном слое. Использовать диффузионно-дрейфовую модель. Характерные размеры элементов структуры порядка 1мкм.
9
7Калин Н.А.2181051551515654Калин Н.А.12513510453Калин Н.А.5151515505Калин Н.А.51310131354444Моделирование в среде SYNOPSYS.
4. Определить зависимость ВАХ от толщины буферного слоя. Использовать диффузионно-дрейфовую модель. Построить распределение: концентрации свободных носителей заряда, напряженности электрического поля, потенциала, плотности тока, скорости, температуры и ВАХ для полупроводниковой структуры, показанной на рисунке к теме 3. Характерные размеры элементов структуры порядка 1мкм. Конкретные размеры взять у преподавателя. (Детализация размеров позволяет сформулировать несколько курсовых работа. Размеры могут быть близки к размерам данным в лабораторных работах)
10
8Кнутов А.С.5551551515554Кнутов А.С.02Кнутов А.С.02Кнутов А.С.022FlexPDE
16.Построить распределение: концентрации свободных носителей заряда, напряженности электрического поля и потенциала, для полупроводниковой структуры, показанной на рисунке 8. Напряжение на затворах должно обеспечивать обеднение равное 15 длин Дебая при нулевом напряжении на истоке и стоке. Напряжение между истоком и стоком должно обеспечивать обеднение порядка 0.5 ширины канала. Характерные размеры элементов структуры порядка 1мкм. Конкретные размеры взять у преподавателя. (Детализация размеров позволяет сформулировать несколько курсовых работа)
11
9Максимова А.Г.2381551551515705Максимова А.Г.15515512524Максимова А.Г.51515155555Максимова А.Г.41510151357444Моделирование в среде SYNOPSYS.
6. Построить ВАХ структуры, для которой буферный слой обеспечивает защиту от проникновения тока в подложку (подобрать толщину и концентрацию буферного слоя). Использовать диффузионно-дрейфовую модель. Построить распределение: концентрации свободных носителей заряда, напряженности электрического поля, потенциала, плотности тока, скорости, температуры и ВАХ для полупроводниковой структуры, показанной на рисунке к теме 3. Характерные размеры элементов структуры порядка 1мкм. Конкретные размеры взять у преподавателя. (Детализация размеров позволяет сформулировать несколько курсовых работа. Размеры могут быть близки к размерам данным в лабораторных работах)
12
10Минкина С.А.2341551551515705Минкина С.А.15415515544Минкина С.А.51515155555Минкина С.А.41110131351444LabView
1.Разработать программный код в среде LabVIew реализующий цифровую фильтрацию в реальном времени сигнала поступающего с микрофона. Обеспечить детальную настройку и выбор фильтров.
13
11Морозова С.В.21751551515554Морозова С.В.13515515534Морозова С.В.51515155555Морозова С.В.51210111250344Моделирование в среде SYNOPSYS.
2. Определить зависимость ВАХ от концентрации свободных носителей заряда в буферном слое. Использовать гидродинамическую модель. Построить распределение: концентрации свободных носителей заряда, напряженности электрического поля, потенциала, плотности тока, скорости, температуры и ВАХ для полупроводниковой структуры, показанной на рисунке к теме 3. Характерные размеры элементов структуры порядка 1мкм. Конкретные размеры взять у преподавателя. (Детализация размеров позволяет сформулировать несколько курсовых работа. Размеры могут быть близки к размерам данным в лабораторных работах)
14
12Оганезов Н.И.22051551515554Оганезов Н.И.154155155594Оганезов Н.И.5151315485Оганезов Н.И.51310131354444Моделирование в среде SYNOPSYS.
3. Построить ВАХ структуры, для которой буферный слой обеспечивает защиту от проникновения тока в подложку (подобрать толщину и концентрацию буферного слоя). Использовать гидродинамическую модель. Построить распределение: концентрации свободных носителей заряда, напряженности электрического поля, потенциала, плотности тока, скорости, температуры и ВАХ для полупроводниковой структуры, показанной на рисунке к теме 3. Характерные размеры элементов структуры порядка 1мкм. Конкретные размеры взять у преподавателя. (Детализация размеров позволяет сформулировать несколько курсовых работа. Размеры могут быть близки к размерам данным в лабораторных работах)
15
13Олубо О.О.22951551515554Олубо О.О.155155155604Олубо О.О.5151515505Олубо О.О.51510151560444FlexPDE
15. Построить распределение: концентрации свободных носителей заряда, напряженности электрического поля и потенциала, для полупроводниковой структуры, показанной на рисунке 7. Напряжение на затворах должно обеспечивать обеднение равное 15 длин Дебая при нулевом напряжении на истоке и стоке. Напряжение между истоком и стоком должно обеспечивать обеднение порядка 0.5 ширины канала. Характерные размеры элементов структуры порядка 1мкм. Конкретные размеры взять у преподавателя. (Детализация размеров позволяет сформулировать несколько курсовых работа)
16
14Сафонцев А.В.2371551551515705Сафонцев А.В.125135155554Сафонцев А.В.51513155535Сафонцев А.В.51410131355444Граничные условия второго рода в задаче моделирования полевого транзистора с затвором Шоттки
17
15Сергиенко А.А.27851551515554Сергиенко А.А.1551551510,09745Сергиенко А.А.5131515510635Сергиенко А.А.5151013132581555Граничные условия 2-го рода
в модели ПТШ
18
19
Средний балл по группе 3201
20
Правила выставления оценок по первой теме:Правила выставления оценок по 4 теме:Итоговая оценка получается как среднее арифметическое из оценок за темы.
21
более 67 5более 70 --) 5более 40 --) 5более 70 --) 5
22
45-66.9 450-70 --) 425-40 --) 451-70 --) 4
23
33-44.9 333-49.9 --) 316-24 --) 340-50 --) 3
24
менее 33 2менее 33 --) 2менее 16 --) 2менее 40 --) 2
25
26
Разделителем использовать запятую
27
28
Посещаемость лекций
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
Loading...