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2 | Tystar11 - 11SULTON | ||||||||||
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4 | Process Specification | Process Performance | |||||||||
5 | Tool Name: | Tystar11 | |||||||||
6 | Description: | This monitor tracks oxide thickness and uniformity | |||||||||
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8 | Recipe: | 11SULTON // 2N2ANNLA | |||||||||
9 | Layer Material: | Undoped silicon oxide | |||||||||
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12 | Targeted Results: | ||||||||||
13 | Target | Description | |||||||||
14 | Thickness [A]: | 3500-4500 | Measured using ellips2 | ||||||||
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16 | Non-uniformity [%]: | <5 | Calculated using (MAX-MIN) / (MAX+MIN) method on thickness data. | ||||||||
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19 | Process Conditions: | ||||||||||
20 | Deposition: | ||||||||||
21 | O2 [sccms]: | 135 | |||||||||
22 | SiH4 [sccms]: | 90 | |||||||||
23 | Temperature [degrees C]: | 450 | |||||||||
24 | Time [HH:MM:SS]: | 00:30:00 | |||||||||
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26 | QM Process Procedure: | ||||||||||
27 | Step | Tool | Description | ||||||||
28 | Stock Wafer | New Wafer | 6-inch P-Type Test Wafer | ||||||||
29 | Oxide Growth | Tystar11 | 30 minute oxide growth | ||||||||
30 | Anneal | Tystar2 | 30 minute anneal at 950C | ||||||||
31 | Film Thickness / RI | ellips | 5-point film thickness/RI | ||||||||
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