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1 | |||||||||||||
2 | Primaxx | ||||||||||||
3 | |||||||||||||
4 | Process Specification | Process Performance | |||||||||||
5 | Tool Name: | Primaxx | |||||||||||
6 | Description: | This monitor tracks the (1) etch rate of Thermal SiO2 and (2) uniformity. | |||||||||||
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8 | Etch Recipe: | Monitor | |||||||||||
9 | Etch Time [sec]: | 300 | |||||||||||
10 | |||||||||||||
11 | |||||||||||||
12 | Targeted Results: | ||||||||||||
13 | Etch Rate [A/min]: | 400 | |||||||||||
14 | Uniformity [%]: | <5 | |||||||||||
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16 | |||||||||||||
17 | Process Conditions: | ||||||||||||
18 | Stabilize: | Etch: | Pump: | ||||||||||
19 | N2 [sccm]: | 1250 | N2 [sccm]: | 1250 | N2 [sccm]: | 0 | |||||||
20 | EtOH [sccm]: | 350 | EtOH [sccm]: | 350 | EtOH [sccm]: | 0 | |||||||
21 | HF [sccm]: | 0 | HF [sccm]: | 310 | HF [sccm]: | 0 | |||||||
22 | Time [sec]: | 120 | Time [sec]: | 300 | Time [sec]: | 120 | |||||||
23 | |||||||||||||
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25 | QM Process Procedure: | ||||||||||||
26 | Step | Tool | Description | ||||||||||
27 | Stock Wafer | Tystar2: | 10kA Wet Oxide | ||||||||||
28 | FT1 | Nano Duv: | Pre-etch 5 point film thickness | ||||||||||
29 | Ellips1 | Ellips | 1 Point Refractive Index | ||||||||||
30 | Etch | Monitor | SiO2 Vapor Etch | ||||||||||
31 | FT2 | Nano Duv: | Post-etch 5 point film thickness | ||||||||||
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