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2 | Tystar10 - 10SUPLYA | |||||||||||||
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4 | Process Specification | Process Performance | ||||||||||||
5 | Tool Name: | Tystar10 | ||||||||||||
6 | Description: | This monitor tracks polysilicon thickness and uniformity. | ||||||||||||
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8 | Recipe: | 10SUPLYA // 2N2ANNLA | ||||||||||||
9 | Layer Material: | Undoped polysilicon | ||||||||||||
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12 | Targeted Results: | |||||||||||||
13 | Target | Description | ||||||||||||
14 | Thickness [A]: | 3300 | Measured using ellips | |||||||||||
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16 | Non-uniformity [%]: | <10 | Calculated using (MAX-MIN) / (MAX+MIN) method on thickness data. | |||||||||||
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19 | Process Conditions: | |||||||||||||
20 | Deposition: | |||||||||||||
21 | SiH4 [sccms]: | 120 | ||||||||||||
22 | Temperature [degrees C]: | 615 | ||||||||||||
23 | Time [HH:MM:SS]: | 00:30:00 | ||||||||||||
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25 | QM Process Procedure: | |||||||||||||
26 | Step | Tool | Description | |||||||||||
27 | Stock Wafer | New Wafer | 6-inch P-Type Test Wafer | |||||||||||
28 | Oxide Growth | tystar2 | 1k oxide growth | |||||||||||
29 | Flexus1 | flexus | Initial stress measurement | |||||||||||
30 | Undoped Poly Deposition | tystar10 | 30 minute undoped-poly deposition | |||||||||||
31 | Anneal | tystar2 | 30 minute anneal at 950 degrees | |||||||||||
32 | Film Thickness / RI | ellips | 5-point film thickness / RI | |||||||||||
33 | Backside Etch | LAM8 | Clear backside | |||||||||||
34 | Flexus2 | flexus | Final stress measurement | |||||||||||
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