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2 | Ionmill6 Etch Monitor | |||||||||||
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4 | Process Specification | Process Performance | ||||||||||
5 | Tool Name: | ionmill6 | ||||||||||
6 | Description: | This monitor tracks the etch rate and uniformity of SiO2 etch in ionmill6 | ||||||||||
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8 | Recipe: | 500V (BV) 200mA (BI), Spin 15 RPM, Angle 45° | ||||||||||
9 | Layer Material: | 10kA Thermal Oxide on Si | ||||||||||
10 | Time: | 20 minutes | ||||||||||
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13 | Targeted Results: | |||||||||||
14 | Target | Description | ||||||||||
15 | Thickness [A]: | 5 point avg using Nanospec | ||||||||||
16 | Non-Uniformity [%]: | <5% | Calculated using (MAX-MIN) / (MAX+MIN) method on thickness data. | |||||||||
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18 | Consistent Etch Profile | 5pt MAP on msp300 using 20mm Exclusion | ||||||||||
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20 | Forward / Reflected Power | Consistent | ||||||||||
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23 | QM Process Procedure: | |||||||||||
24 | Step | Tool | Description | |||||||||
25 | Stock Wafer | - | 10kA wet oxide wafer | |||||||||
26 | Oxide thickness Pre-mill measurement | Nanospec / Nanoduv | 5 point thickness | |||||||||
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28 | Etch Oxide | Ionmill6 | ||||||||||
29 | Oxide thickness Post-mill measurement | Nanospec / Nanoduv | 5 point thickness | |||||||||
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33 | Parameter VS. Etch Rate and Uniformity Investigation | |||||||||||
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