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2 | Tystar17 - 17STDNITA | |||||||||||||
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4 | Process Specification | Process Performance | ||||||||||||
5 | Tool Name: | Tystar17 | ||||||||||||
6 | Description: | This monitor tracks nitride thickness and uniformity. | ||||||||||||
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8 | Recipe: | 17STDNITA | ||||||||||||
9 | Layer Material: | nitride on silicon | ||||||||||||
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11 | Targeted Results: | |||||||||||||
12 | Target | Description | ||||||||||||
13 | Thickness [A]: | 1100 | Measured using nanoduv | |||||||||||
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15 | Uniformity [%]: | >90% | Calculated using (MAX-MIN) / (MAX+MIN) method on thickness data. | |||||||||||
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18 | Process Conditions: | |||||||||||||
19 | Deposition: | |||||||||||||
20 | DCS[sccm]: | 25 | ||||||||||||
21 | NH3[sccm]: | 75 | ||||||||||||
22 | pressure[mTorr] | 300 | ||||||||||||
23 | Temperature [degrees C]: | 800 | ||||||||||||
24 | Time [min]: | 00:30:00 | ||||||||||||
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26 | QM Process Procedure: | |||||||||||||
27 | Step | Tool | Description | |||||||||||
28 | Stock Wafer | New Wafer | 6-inch P-Type Test Wafer | |||||||||||
29 | Stress 1 | flexus | Initial stress test | |||||||||||
30 | Nitride Growth | Tystar17 | 30 minute nitride growth | |||||||||||
31 | Film Thickness | nanoduv | 5-point film thickness | |||||||||||
32 | Refractive Index | ellips | 5-point RI | |||||||||||
33 | Backside Etch | technics-c | Clear backside | |||||||||||
34 | Stress 2 | flexus | Final stress test | |||||||||||
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