8/21/2025
ĐIỀU KHIỂN MÁY PHÁT ĐỒNG BỘ ẢO DỰA TRÊN BỘ NGHỊCH LƯU BA PHA HÌNH T CẢI TIẾN SỬ DỤNG RB-IGBT
GVHD : PGS.TS Vũ Hoàng Phương
NCS : Th.S Đào Xuân Tiến
TỔNG QUAN ĐỀ TÀI NGHIÊN CỨU
8/21/2025
HANOI UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
SCHOOL OF ELECTRICAL AND ELECTRONIC ENGINEERING
2
8/21/2025
MỤC LỤC
I
Lý do lựa chọn đối tượng, mục tiêu và các nội dung nghiên cứu
IV
III
Cấu trúc điều khiển máy phát đồng bộ ảo
Hệ thống thực nghiệm
II
Cấu trúc nghịch lưu hình T cải tiến sử dụng van RB-IGBT
V
Định hướng nghiên cứu
3
8/21/2025
I
LÝ DO LỰA CHỌN ĐỐI TƯỢNG VÀ MỤC TIÊU NGHIÊN CỨU
1.1. Lý do lựa chọn đối tượng nghiên cứu
Hình 1. Cấu trúc điều khiển bám lưới (GFL)
- Bộ biến đổi điện tử công suất truyền thống là các nghịch lưu bám lưới (grid - following)
+ Grid-Feeding (công suất nhỏ < 5MW):
+ Grid - supporting (công suất lớn hơn > 5MW
- Cả hai chế độ đều điều khiển theo chế độ nguồn dòng, không thể vận hành độc lập.
- Lưới điện microgrid hiện nay thường được thiết kế với nguồn phát Diesel kết hợp với nguồn NLTT (PV, gió).
- Xu thế giảm tỷ lệ sử dụng Diesel (máy phát đồng bộ), hướng tới sử dụng 100% nguồn năng lượng tái tạo kết nối bởi các bộ biến đổi điện tử công suất.
4
8/21/2025
I
LÝ DO LỰA CHỌN ĐỐI TƯỢNG VÀ MỤC TIÊU NGHIÊN CỨU
1.1. Lý do lựa chọn đối tượng nghiên cứu
4
Thách thức với vận hành lưới điện Microgrid với ỷ lệ nguồn NLTT tăng cao
RoCoF
RoCoF
Hình 2. Phản hồi tần số khi lưới điện có nguồn NLTT
5
8/21/2025
I
LÝ DO LỰA CHỌN ĐỐI TƯỢNG VÀ MỤC TIÊU NGHIÊN CỨU
1.2. Mục tiêu nghiên cứu
5
Hình 3- Mô hình Virtual synchronous generator-VSG
Đề xuất thiết kế: Nguồn dự trữ + Bộ biến đổi ĐTCS hoạt động với vai trò máy phát điện đồng bộ
6
8/21/2025
II
CẤU TRÚC NGHỊCH LƯU HÌNH T CẢI TIẾN DÙNG VAN RB-IGBT
Cấu trúc 2 mức
Nghịch lưu nguồn áp
Cấu trúc hình T
Cấu trúc
NPC
Cấu trúc hình T-RB IGBT
+ Phổ biến, ít linh kiện
+ Tổn thất dẫn thấp, đơn giản
- Với điện áp >900V, công suất tới 120kW, tần số điều chế 50kHz thì nghịch lưu 2 mức kém hiệu quả, nhược điểm: dv/dt lớn, điện áp trên van cao, tổn thất chuyển mạch lớn, THD cao.
Chất lượng điện áp tốt hơn
+ Chất lượng điện áp tốt hơn (tốc độ dv/dt nhỏ)
+ Tần số chuyển mạch thấp
- Nhược điểm:
Nhiều linh kiện, ghép nối phức tạp, mạch cồng kềnh
- Có ưu điểm của cả nghịch lưu 2 mức và NPC 3 mức (tổn thất dẫn thấp, chất lượng điện áp tốt)
- Trong chuyển mạch hai chiều AC thì khả năng chặn ngược của van IGBT thông thường còn hạn chế
- Có ưu điểm của nghịch lưu Hình T
- Khả năng chăn ngược tốt hơn Hình T
- Đã được mô đun hóa dành riêng cho Hình T
7
8/21/2025
II
CẤU TRÚC NGHỊCH LƯU HÌNH T BA PHA
7
Phù hợp với ứng dụng hạ áp yêu cầu công suất lớn, điện áp DC cao đến hơn 900V, tần số chuyển mạch cao đến 50 kHz, cho phép điều khiển công suất theo 2 chiều khi kết nối nguồn dự trữ.
Bảng 1. Bảng so sánh đặc tính của các cấu trúc nghịch lưu
Fuji Electric Co.,Ltd
Lựa chọn nghịch lưu hình T cải tiến với van RB IGBT trong cấu trúc VSG
Cấu trúc nghich lưu hình T với RB-IGBT có nhiều ưu điểm hơn so với các cấu trúc nghịch lưu khác
8
8/21/2025
III
CẤU TRÚC ĐIỀU KHIỂN MÁY PHÁT ĐỒNG BỘ ẢO
Hình 5. Cấu trúc điều khiển VSG dựa trên bộ nghịch lưu hình T sử dụng RB-IGBT
SA1
C2
SA2
SC1
SC2
C1
SB2
SB1
Rd
PCC
Grid
Load
LCL Filter
SVM
1/
Ks
e
Q
−
−
−
−
−
−
+
ω
Δ
Dp
1/Js
set
V
Amplitude detection
q
D
V
Δ
ref
Q
APL
RPL
1/s
S
Q
(Electromagnetic Model)
Calculate
Te, Qe, e
ω
Τ
Δ
Pset
Rd
Rd
Cf
Cf
Cf
L1
R1
L1
R1
L1
R1
L2
R2
L2
R2
L2
R2
iLabc
iabc
uabc
Lg
Rg
Lg
Rg
Lg
Rg
ugabc
igabc
ωset
1/ωn
Qset
Q
Δ
Te
Tm
−
Vg
Vh
iabc
uabc
e
9
8/21/2025
IV
HỆ THỐNG THỰC NGHIỆM
Hình 6. Hệ thống mô phỏng VSG trên nền tảng Typhoon HIL
Màn hình theo dõi phần mềm HIL
Phần cứng Typhoon HIL
Màn hình theo dõi phần mềm CCS
10
8/21/2025
IV
HỆ THỐNG THỰC NGHIỆM
Hình 7. Hệ thống mô hình thực nghiệm bộ nghịch lưu ba mức hình T cải tiến tại LAB- E403-C7
11
8/21/2025
V
ĐỊNH HƯỚNG NGHIÊN CỨU
VSG
Hình 8. Mô hình lưới điện nghiên cứu ứng dụng VSG
12
8/21/2025
Power Electronics Laboratory
8/21/2025
12