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SK hynix Inc. &

NAND Flash Memory

이동훈 부사장 I SK 하이닉스

2026. 06

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SK hynix inc. 이동훈 부사장 Profile

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개발총괄 – NAND 개발 – NAND PnR 담당

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학력

오사카대 전자물리학과

학사 (’03~’07), 석사 (’07~’09), 박사 (‘09~’12)

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경력

NAND 소자 신뢰성 Engineering (‘12~’18)

128단, 176단 NAND 기술 전략 팀장 등 (‘19~’22)

238단, 321단 PnR 담당 (’23~’25)

NAND PnR 담당 (’26~현재)

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목차

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1. SK 하이닉스, NAND Flash 소개

​

2. 3D NAND Flash의 이해

​

3. AI시대, 우리는?

(Gemini 생성 Image 활용)

(Gemini 생성 Image 활용)

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SK hynix Inc.의 역사

* Gemini로 생성한 이미지 입니다.

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AI 시대, 학습에서 추론으로

* 2026.02.23, 프라임 경제, ‘HBM 다음은 낸드, AI 추론 시대, 메모리 패러다임이 바뀐다‘ 에서 발췌

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DRAM 과 NAND Flash

* Gemini로 생성한 이미지 입니다.

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NAND Flash Memory의 역사: 발명부터 AI까지

마쓰오카

* Gemini로 생성한 이미지 입니다.

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정보 저장 장치의 역사, 암각화에서 NAND 까지

* Gemini로 생성한 이미지 입니다.

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목차

​

1. SK 하이닉스, NAND Flash 소개

​

2. 3D NAND Flash의 이해

​

3. AI시대, 우리는?

(Gemini 생성 Image 활용)

(Gemini 생성 Image 활용)

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Memory Hierarchy

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1st Transistor, MOSFET, NVM(FG) Memory

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NAND Flash Memory의 탄생

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Cost 경쟁, 2D🡪3D NAND 전환

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2D vs. 3D NAND

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3D NAND 고집적화 방법

Stack-up

Lateral Scaling

Multi-bit

SLC

1bit

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MLC

2bit

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TLC

3bit

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QLC

4bit

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128L

238L

176L

96L

321L

Peri.

Cell

2019

2023

2021

2018

2025

3D NAND

4D NAND Era

Wafer Bonding

SK Hynix NAND: Stack-up

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More Multi-bit: TLC 🡪 QLC

1-Cell

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TLC (3bit)

QLC (4bit)

+33%

Cost 유리

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성능/수명 불리�(신기술 대응)

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321단 2Tb QLC의 의미

AI 추론 시대에 확장하는 서버 시장을 대응하기 위해 고용량 NAND 제품 개발 중

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Challenges in 3D NAND

HARC Etch

Film Stress

Etch Rate Simulation

Process Cost

3D Stack Height

  • Throughput
  • Vertical Profile
  • Z-Scaling

Block Oxide

Charge-Trap Nitride

Tunnel Oxide

Channel Poly-silicon

  • High Aspect Ratio ALD
  • Cell Dielectric Material
  • Cell Current Improvement
  • Methodology for Stress Simulation
  • Cell O/N Material

Cell Dielectric

Source: SK 하이닉스

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목차

​

1. SK 하이닉스, NAND Flash 소개

​

2. 3D NAND Flash의 이해

​

3. AI시대, 우리는?

(Gemini 생성 Image 활용)

(Gemini 생성 Image 활용)

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혁명: 핵심 자원의 단가를 혁신적으로 낮추기

* Gemini로 생성한 이미지 입니다.

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산업 혁명과 AI 혁명

* Gemini로 생성한 이미지 입니다.

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AI 시대를 맞이하는 우리…

* Gemini로 생성한 이미지 입니다.

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QLC 경쟁력 강화 배경