FS-Pn-P002-Unipolarni_tranzistor-JFET

+

–

S

(E)

D

(C)

G

– elektron

– díra

– kationt příměsi

– aniont příměsi

Tranzistor je tvořen základní destičkou polovodiče jednoho typu (např. N), na které je ze dvou stran vytvořena elektroda (brána) z polovodiče opačného typu (P).

+

–

S

(E)

D

(C)

G

– elektron

– díra

– kationt příměsi

– aniont příměsi

Pokud na řídící elektrodu (G) není přivedeno napětí, kolem přechodu vznikne vyprázdněná oblast s ionty příměsí, ale ve střední části je vodivý kanál, kde protéká proud.

+

–

S

(E)

D

(C)

G

– elektron

– díra

– kationt příměsi

– aniont příměsi

Na elektrodu G (gate) připojíme napětí.

Zmenšuje se oblast s nosiči nábojů.

Tím je proud omezován.

Pochopitelně lze dosáhnout až úplného přerušení proudu.

PN přechod je orientován závěrně. Oblast hradlové vrstvy se zvětší.

+

–

S

(E)

D

(C)

G

– elektron

– díra

– kationt příměsi

– aniont příměsi

Prezentace Unipolární tranzistor – JFET

Zdroje a použitá literatura:

1. Unipolární tranzistor. In: Wikipedia: the free encyclopedia [online]. San Francisco (CA): Wikimedia Foundation, 2001-2012 [cit. 2012-02-18]. Dostupné z: http://cs.wikipedia.org/wiki/�Unipolární_tranzistor
2. KEKULE, Jaromír. Unipolární tranzistor. Elektřina a magnetismus [online]. [cit. 2012-02-18]. Dostupné z: http://elektross.gjn.cz/�soucastky/dva_prechody/uni_tranzistor.html

Prezentace byla vytvořena v rámci projektu: „Přechod na komplexní multimediální výuku na Gymnáziu Jaroslava Vrchlického v Klatovech“

+

–

S

(E)

D

(C)

G

– elektron

– díra

– kationt příměsi

– aniont příměsi