MOSFET - Автоматични измервания
Автоматично измерване на дрейновия ток при зададени Ugs и Uds
Автоматично измерване на праговото напрежение при зададени Uds и Id
Задача: Симулирайте схемата за да получите изходни характеристики на MOS транзистор. От резултатите от симулациите определете стойността на дрейновия ток при UGS=3V и UDS=5V.
Схема | Симулация По оста X е напрежението дрейн-сорс Uds, по Y е токът на дрейна Id, а параметър на семейството характеристики е напрежението Ugs. |
Обяснения на използваните Spice директиви
Режим на симулация: .dc Vds 0 10V Vgs 1V 5V 0.5V | Да се извърши постоянно-токов анализ, като напрежението на източника Vds се променя от 0 до 10V. Ugs се променя от 1V до 5V със стъпка 0.5V. Това означава, че ще бъдат извършени пет симулации, по една за всяка стъпка на Ugs: 1, 1.5, 2, 2.5, 3, 3.5, 4, 4.5, 5V. По този начин се получава семейство изходни характеристика на MOS транзистор. |
Измерване .meas dc Id find Id(M1) when Vds=5V | Да се измери дрейновия ток на транзистора M1 при Vds=5V, като получената стойност се означи с Id. |
Резултати от измерванията
В задачата се иска да определим “стойността на дрейновия ток при UGS=3V”. Първо намираме коя симулационна стъпка съответства на стойност UGS=3V. В случая това е петата симулация. В таблицата с измерените стойности на Id намираме петата симулация (step 5) и отчитаме стойност на дрейновия ток 0.14A |
Задача. Симулирайте схемата за да получите предавателна характеристика на MOS транзистор.
От резултатите от симулациите определете праговотo напрежение UTH при ID=200uA, UDS=10V
Режим на симулация: .dc Vgs 0 6V | Да се извърши постоянно-токов анализ, като напрежението на източника Vgs се променя от 0 до 6V. По този начин се получава предавателна характеристика на MOS транзистор. |
Измерване .measure Ugs when Id(M1)=200uA | Да се напрежението Ugs когато дрейновият ток Id(М1) достигне стойност 200uA. |
Резултати от измерванията
Отговор: Uth = 1.45V